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AO4435中文资料

AO4435图片

AO4435外观图

  • 大小：2.04KB
  • 厂家：万和兴
  • 描述：
  • 标准包装：1
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：FET - 单
  • 系列：-
  • FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 特点：逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：10.5A
  • 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：14 毫欧 @ 11A，20V
  • Id 时的 Vgs(th)（最大）：3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs：24nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds：1400pF @ 15V
  • 功率 - 最大：3.1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 供应商设备封装：8-SOIC
  • 包装：Digi-Reel?
  • 其它名称：785-1030-6

AO4435供应商

更新时间:2022-12-31 22:49:36
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